Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....
不知道會怎樣呢?
甚至於使用45nm技術來做
(一個power mosfet = 一億個並聯)
但工作電壓應該會很低
為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....
版主: Jeff, Korping_Chang
9999 寫:Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....
不知道會怎樣呢?
甚至於使用45nm技術來做
(一個power mosfet = 一億個並聯)
但工作電壓應該會很低
為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....
9999 寫:Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....
不知道會怎樣呢?
甚至於使用45nm技術來做
(一個power mosfet = 一億個並聯)
但工作電壓應該會很低
為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....
9999 寫:Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....
不知道會怎樣呢?
甚至於使用45nm技術來做
(一個power mosfet = 一億個並聯)
但工作電壓應該會很低
為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....
正在瀏覽這個版面的使用者:沒有註冊會員 和 38 位訪客